三菱電機は、世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発。

独自の1チップ構造と新パッケージの採用した同モジュールを使うことで、高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネを実現させる。

従来品Siに対し、今回の6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールは、定格出力密度が1.8倍の9.3kVA/ccに。損失は3分の1に減少。

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このフルSiCによって、高出力密度化とスイッチング損失の大幅低減、動作周波数の向上が可能に。また、優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術で、高放熱・高耐熱小型パッケージも実現させた。

同社は今後、要素技術の改善や信頼性評価を進めていく。